Начаты работы по созданию трехмерной кремниевой нанопамяти

Американская компания BeSang Inc. приступила к разработке первой в мире трехмерной кремниевой нанопамяти. Проект разрабатывается совместно с учеными из Колледжа нанонаук и инженерии Университета Олбани. Программа рассчитана на 3 года и имеет бюджет $ 1,1 млн.

Компания BeSang разрабатывает ядро памяти и ее структурную архитектуру для реализации 3D-чипа, пишут C-News. Сам чип будет представлять собой интегрированную кремниевую микросхему, на которой будут последовательно наращиваться слои чипа, сообщает EETimes. У компании уже есть успешные разработки в области архитектуры наноустройств. «Наша инновация состоит в новой технологии плавающей памяти, позволяющей производить доступ к ядру памяти с очень высокой плотностью записи данных», - заявил Кеннет Ли, бизнес-директор компании.

Пока все разработанные на сегодняшний день трехмерные чипы памяти характеризуются низкой плотностью данных и средним быстродействием. Как правило, их применение не выходит за пределы области мобильной электроники.

Еще одно преимущество архитектуры 3D-чипа от BeSang - ее многослойность. Причем логических взаимосвязей между слоями может быть практически любое количество - соответственно, память можно наращивать «вверх» практически неограниченно, что, естественно, существенно увеличивает количество информации, которую можно хранить на чипе.

Образование в области нанотехнологий и информатики можно получить

• в Московском физико-техническом государственном университете